三星已开始生产 20nm DDR3 内存芯片

三星已经向前迈出了一大步，并且肯定比竞争对手获得了很大的优势，因为它是第一个开始批量生产采用 20nm 制造技术的 MLC NAND 闪存芯片的公司。

众所周知，内存市场目前正在经历一场小危机，市场竞争过度，客户兴趣下降导致生产过剩，库存积压，制造商已经被迫以更低的利润出售他们的产品。

现在三星可以在 20nm 开始更高效地生产，因为它可以在硅片表面上获得多达 50% 的芯片，当然，一些在生产开始时较差的良率可能甚至会抵消更高效的生产. 另一方面，刀片的消耗量也受技术变化的影响很大，因为它的消耗量可以减少40%。 除了当前的市场趋势之外，这可以使其极具吸引力，因为主要市场已经转向便携式机器，需要尽可能低的功耗来增加正常运行时间，并且随着 20 纳米技术的发展，手机甚至可以出现。筹码。

三星已经将新技术外包给新工厂，发布会也在这里举行，生产也将在这里开始。 一家名为 Line-16 的工厂位于韩国京畿道的一家名为 Nano City 的三星拥有的工厂内。 庞大的综合体占地20公顷，计划每月生产10000片300毫米晶圆。 这样，最大的这样的工厂开张了。 两个千兆芯片的生产将在第一轮开始，但我想在年底开始生产4个千兆的内存。 这些商店有 4GB、8GB、16GB 和 32GB 包。 同时，我们必须考虑更新的绿色 DDR3 模块，因为这些普通 DRAM 的消耗也低于当前的低功耗产品。

来源： techpowerup