三星：NAND 插入 30 nm 以下

这家韩国制造商宣布了一项可以大大提高产能的新开发项目。

三星已宣布将制造最新的 TLC（三级单元）NAND 芯片，该芯片已经属于 20 纳米级（20-29 纳米），容量为 64Gbits。 它们每个单元已经可以存储 3 位，但作为回报，速度比 MLC 的情况低，并且出错的可能性也增加了。 制造商推荐将新芯片用于 USB 设备、存储卡、SSD 和智能手机。 今年64月，英特尔和美光已经推出了自己的25Gbit TLC芯片，采用32nm工艺制造。 三星之前的 TLC 芯片只有 30 Gbits，并且是在 30nm 级别（39-XNUMXnm）制造的。