第一个DDR4内存模块准备就绪

三星出人意料地推​​出了原型机，但要实现量产还有很多工作要做。

随着全球首款DDR4内存模块的正式发布，三星在内存领域又迈出了重要一步。 原型上的插入物是使用 30 nm 方法制成的。 与 DDR3 产品线相比，它们消耗的能量减少了 40%，主要是因为工作电压显着降低，只有 1,2 伏，而 DDR3 为 1,5 伏。 当前的 DDR4 芯片可以规定 2.133 Mbit / s 的速率，但该公司表示，新标准将使 3.200 Mbit / s 可用。 DDR3 芯片能够达到 1.600 Mbit/s 的速度。

正如预期的那样，JEDEC 可能会在今年晚些时候确定 DDR4 产品线，因此首批量产产品可能会在 2012 年出现。