东芝在 NAND 闪存行业驱动到 19 nm

一个礼拜前 我们报道了 关于那个 英特尔 和 NAND 闪存芯片，与美光合资以 IM Flash Technologies 的名义生产 20 nm。 现在东芝自豪地宣布他们要更进一步，使用 20 纳米工艺而不是 19 纳米工艺。 因此，这种MLC（Multi Level Cell）类型芯片的面积是竞品的范围，即118 mm² 并且容量将以相同的方式为 64 Gbit (8 GB)。 该公司将于本月底开始交付首批样品，并于第三季度开始量产。 这个时间间隔与 IMFT 报告的时间间隔相似，因为他们谈到了 2011 年下半年。 东芝还将采用名为“Toggle DDR2.0”的技术，这将对速度产生有益影响。 该制造商的合作伙伴闪迪希望在今年晚些时候加入提供 19 纳米 NAND 闪存芯片的制造商集团。 新的发展将主要有利于平板电脑、固态硬盘和智能手机。 官方公告可以在源页面上找到。