笔记本内存也在进化
尔必达已宣布 4GB 模块已经在 30nm 制造。
总部位于日本的尔必达已正式宣布已开始发货基于 DDR3 标准并使用 30 纳米制造技术的首批 SO-DIMM 样品。 这些模块通过 4 个 16 Gbit DDR2-SDRAM 芯片实现了 3 GB 的容量。 与制造商在 40 纳米生产的上一代产品相比，新开发的产品在负载下消耗的能量减少了 20%，而在空闲时最多可节省 30%，这可以在 1,5 伏时实现。 最大数据吞吐量为 1.866 Mbit/s。
新的内存模块主要用于笔记本电脑、上网本和平板电脑系列。 量产将于 2011 年第一季度开始。
与此相关的是 A-Data 为笔记本电脑系列的游戏玩家推出了一套新的内存。 适合 SO-DIMM 插槽的模块每个具有 4 GB 的容量，因此双通道封装提供 8 GB 的容量。 这里的工作电压是 1,5-1,35 伏而不是 1,4 伏，允许它们以 1.600-9-9-9 的时序规定 24 MHz 的速度。 新的 A-Data 模块将单独和成对（双通道）提供，价格目前未知。
