DDR3 内存已经是 30 纳米了

三星还计划在年底前进行进一步的大批量升级。

三星已经开始量产 2 nm 的 30 Gbit 存储芯片。 因此，功耗和工作电压已显着降低。 这意味着在 1,35 伏电压下可提供高达 1.866 MHz 的时钟，在 1,5 伏电压下可提供 2.133 MHz 的时钟。与之前以 50 nm 制造的芯片相比，服务器前端可实现高达 20% 的节能。 然而，厂商并没有就此止步，他们希望在今年年底推出4Gbit芯片，这将允许在台式机和笔记本线上生产8GB模块，而服务器模块的容量可以达到32GB。

采用当前 2 Gbit 芯片的模块将提供 2、4 和 8 GB 容量，但尚无关于预期价格的信息。