海力士也生产了自己的DDR4模块

A Samsung 之后，海力士还生产了自己的定制DDR4内存模块。 所使用的芯片在 2.400 伏电压下以 1,2 MHz 的有效时钟速度运行，这两个千兆位芯片采用 2 nm 工艺制造，比 30 MHz DDR80 同类产品快 1.333%。 新模块安装在 SO-DIMM 插槽中，支持 ECC，带宽达到 3 GB/s。 Hynix 声称这些模块使用 19,2 位 I/O 通道，量产可能会在 64 年年中开始。