三星80nm内存

三星推出了采用 80 纳米技术的 1 Gb 容量 DRAM 芯片。

80纳米带宽制造技术使得降低制造存储芯片的成本成为可能。 如此一来，仍然十分稀有的2、4G DDR2 模块的价格可能会进一步降低。 90nm 1 Gbit 芯片尺寸为 11 × 18mm，而新的三星内存仅为 11 × 11,5mm。

South Early公司计划到2008年将DRAM的市场份额提高到37,8亿美元，而1Gbit芯片的市场份额将在两年内从目前的8%变为36%。